Tytuł:

Optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells with different distance from Si-delta-doping layer

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Autor:

Motyka, Marcin ; Sęk, Grzegorz ; Andrzejewski, Janusz ; Kudrawiec, Robert ; Misiewicz, Jan ; Ściana, Beata ; Radziewicz, Damian ; Tłaczała, Marek

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Wilk, Ireneusz. Redakcja

Temat i słowa kluczowe:

optyka ; quantum well ; contactless electroreflectance ; built-in electric field ; delta-doping

Opis:

Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3, s. 471-477

Abstrakt:

In0.22Ga0.78As/GaAs single quantum wells with different distance from a delta doped layer have been investigated by using contactless electroreflectance (CER) spectroscopy. The oscillator strength of optical transitions and the value of the built-in electric field have been determined from CER spectra. Obtained results have been compared with theoretical calculations preformed in the framework of the effective mass approximation. In order to accurately find the wavefunctions of electrons and holes confined in the quantum well embedded in the built-in electric field, the time-dependent Schrödinger equation has been solved.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2005

Typ zasobu:

artykuł

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005 ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska