Tytuł:

Application of interference methods for determination of curvature radius in metal–oxide–semiconductor (MOS) structures

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Autor:

Rzodkiewicz, Witold ; Borowicz, Lech

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Wilk, Ireneusz. Redakcja

Temat i słowa kluczowe:

optyka ; Si–SiO2 system ; interferometry ; radius of curvature ; stress

Opis:

Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3, s. 523-527

Abstrakt:

The paper deals with the measurement of the radius of curvature of silicon wafer surface. The aim of these measurements was to determine stresses generated during oxidation of silicon wafers. A greater molar volume of SiO2 layer in relation to the substrate material causes changes in the shape of oxidized surface, which results in stresses in both silicon dioxide layer and silicon. These changes are detected by Fizeau interferometer. In order to find the local value of curvature radii, deformations of the wafers under investigation approximated by corresponding interpolation formulas have been determined.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2005

Typ zasobu:

artykuł

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005 ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska